展示製品の特徴

■ウィン・セミコンダクター社は、GaAsやGaN等のIII-V化合物半導体ファウンドリーサービスにおいて世界有数のサプライヤーです。これらの半導体デバイスは、ワイヤレス通信、インフラネットワーク等の各市場向け高周波アプリケーションのキーデバイスとして使用されています。

■弊社は、GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ (HBT)、GaAs高電子移動度トランジスタ (pHEMT), 窒素ガリウム高電子移動度トランジスタ (GaN HEMT)、PINダイオード、さらに光学デバイス技術ソリューション等の多様なサービスをご提供しています。また、対応周波数は50MHzから170GHzの高周波デバイス、オプティカル変換アプリケーション等、最先端デバイスをサポートしています。

■弊社のファウンドリサービスによる製品は、スマートフォン、モバイルインフラ、3-Dセンシング、光通信、ケーブルテレビ、電力伝送、航空宇宙、防衛、自動車用アプリケーション等、広範囲で使用されています。

■GaAs HBT およびGaAs pHEMTデバイスでは豊富な経験を有した弊社技術チームは、お客様のご要望にお応えするために継続的な研究開発を行っています。

■GaNデバイスにおいてもS帯からミリ波帯まで広範囲な周波数帯をサポートするため新たな技術を開発し、高出力GaNデバイスソリューションを完成しました。これらテクノロジーは、5G無線アクセスネットワーク、衛星通信、レーダーシステム用途の高出力アンプに最適です。