Microwave Exhibition 2022: Nov.30- Dec.02, 2022, Pacifico Yokohama, JAPAN
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商社取扱企業

MicroWave Technology, Inc.


Country : U.S.A.
Web : https://www.mwtinc.com

国内連絡先

(株)AMT [ Booth No. I-08 ]
〒630-8014 奈良県奈良市四条大路4-1-17
TEL
: (0742)30-0070
FAX
: (0742)30-0200
Mail
contact@ad-mtech.com
Web
http://www.ad-mtech.com
担当
: カスタマーサービス

出展品目

  • MMICアンプ
  • GaAs FET / pHEMTデバイス
  • GaNアンプ
  • LTE / WiMax / WLANワイヤレスアンプ
  • ハイブリッドモジュール
  • 宇宙用 / 高信頼度製品
  • コネクタ付きアンプ
  • ガンダイオード
  • MRI用プリアンプ

Exhibits

  • MMIC Amplifiers
  • GaAs FET and pHEMT Devices
  • GaN Amplifiers
  • LTE / WiMax / WLAN & Wireless Amplifiers
  • Hybrid Modules
  • Space and Hi-Rel
  • Connectorized Amplifiers
  • Gunn Diodes
  • Pre-amplifiers for MRI Applications

展示製品の特徴

■MwT社は30年以上にわたり高周波用半導体(GaAs、GaNパワーアンプ、ローノイズのpHEMTデバイス、MMIC、ワイヤレスアンプ、ハイブリッドモジュール)の設計から製造までを行っているメーカーです。面実装品を多くご用意しており、一部コネクタ品の製品もございます。

■民生用の部品に加え、軍事用の高信頼性部品もラインナップしております。

■パッケージ品については、ほとんどの製品に評価ボードの用意もございます。

【ブロードバンドゲインブロックアンプ MMA-053223-Q3】
 ・周波数 : 0.5-3.2GHz
 ・リニアゲイン : 12dB
 ・Noise Figure : 3.5dB(typ.)
 ・P-ldB : 24dBm (typ.)

【WiMax / WLAN リニアパワーアンプ MMA-495933-Q5】
 ・周波数 : 4.9-5.9GHz
 ・リニアゲイン : 10.5・10.0(Typ./Min.)
 ・P-ldB オプション : +36.5dBm、+33dBm、+30dBm

【高出力GaAs FET デバイス MwT-8】
 ・周波数 : 12GHz
 ・ゲイン : 7.5dB
 ・Output Power : 28dBm

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