Microwave Exhibition 2022: Nov.30- Dec.02, 2022, Pacifico Yokohama, JAPAN
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Booth No. C-13

WIN Semiconductors Corp.
WIN Semiconductors Corp.

Country : TAIWAN
Web : http://www.winfoundry.com
[ 国内連絡先 ]
〒170-0005 東京都豊島区南大塚3-50-8
: (03)5928-8899
: (03)5928-8900
: 第二営業部


  • GaAs Wafer
  • GaN Wafer Foundry Service


  • GaAs Wafer
  • GaN Wafer Foundry Service


■WIN Semiconductors Corp. is the leading global provider of pure-play GaAs and GaN wafer foundry services for the wireless, infrastructure and networking markets. WIN provides its foundry partners a diverse portfolio of Hetero-junction Bipolar Transistor (HBT) and Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT), Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT), PIN Diode and Optical Device technology solutions that support leading edge products for applications from 50MHz to 170GHz and through light-wave. Custom products built by WIN Semiconductors Corp. are found in a vast array of markets, including smartphone, mobile infrastructure, 3-D sensing, optical communications, CATV, aerospace, defense and automotive applications.

■WIN's technology teams have substantial experiences in GaAs HBT and HEMT MMIC fabrication. They are well familiar with the latest developments in GaAs technologies, and will provide continuous research and development to meet our customers' technology requirements.

■WIN has completed solution for high power RF GaN including 0.45µm (NP45), 0.25µm (NP25), 0.15µm (NP15) and 0.12µm-gate (NP12) technologies as to support full MMICs. GaN on SiC is ideal for the high-power amplifiers used in 5G mmWave radio access networks, satellite communications and radar systems.

■In addition to MMIC technology platforms, WIN has also established value added services embodies Epi-wafer growth, application/design support, Cu-Pillar bumping, RF/DC test and wafer mapping, 100% visual inspection and prototype QFN package for accelerated product development.

■WIN Semiconductors Corp.は、ワイヤレス、インフラ、ネットワークの各市場向けのpure-play GaAsおよびGaNウェハーファウンドリサービスにおける世界有数のサプライヤーです。
我が社は、ファウンドリサービスのパートナーに対し、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (HBT)、疑似形態高電子移動度トランジスタ, 窒素ガリウム高電子移動度トランジスタ (GaN HEMT)、PINダイオード、光学デバイス技術ソリューションの多様なポートフォリオを提供して、50MHzから170GHz、そして光波を介したアプリケーション向けの最先端製品をサポートしています。我が社によって構築されたカスタム製品は、スマートフォン、モバイルインフラ、3-Dセンシング、光通信、ケーブルテレビ、航空宇宙、防衛、自動車用アプリケーションを含む広範囲の市場で見られます。

■我が社の技術チームは、GaAs HBTおよびHEMT MMICの製造において、豊富な経験を持っています。さらにGaAs技術の最新の開発に精通しており、お客様の技術要件を満たすために継続的な研究開発を行っています。

■我が社は、全てのMMICをサポートするため、0.45µm (NP45)、0.25µm (NP25)、0.15µm (NP15)、0.12µm-gate (NP12) 技術を含むハイパワーRF GaN用のソリューションを完成させました。GaN on SiCは、5Gミリ波用無線アクセスネットワーク、衛星通信、レーダーシステムで使用される高出力アンプに最適です。


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