出展社
Booth No. K-06
Infinity Communication Tech. Inc.
Infinity Communication Tech. Inc.
取扱製品分野
- 測定器、製造装置、システム
- コンポーネント(アクティブ)
- コンポーネント(パッシブ)
- アンテナ
- 半導体素子、IC
- コネクタ、ケーブル
- 基板、各種材料、PKG
- シミュレータ、そのほかソフト全般
- 設計・測定請負サービス
- 金属・材料加工
- その他
アプリケーション分野
- 4G, 5G移動通信、
次世代ワイヤレスシステム
- 衛星・航空通信
- 放送、公共・防災無線
- 高度道路交通システム(ITS)
- レーダー
- IoT(産業、ヘルスケア、農業など)
- 計測システム
- ワイヤレス給電
- マイクロ波応用(マイクロ波加熱、バイオ、医療)
- その他
出展品目
- [高周波GaNFET]
・0.15µm AlGaN / GaNHEMT SiC基板
・fT: 100GHz fmax: 150GHz
・飽和出力：5-50W @ Sub 6GHz
・線形利得：≥18dB @ 3.5GHz
・最大ドレイン電圧： 100V
- [高周波GaNMMIC 及びファウンドリサービス]
・0.15µm AlGaN / GaNHEMT、SiC / Si / Sapphire基板
・PDK (GaNHEMTモデル、マイクロストリッ プ/ コプレーナー導波路など)
- [スイッチングGaNトランジスタSi基板]
・Eモード / DモードAlGaN / GaNFET
・定格電流/電圧 0.5-30A / 50-650V
・650V / 20A 低オン電圧ショットキーバリアダイオード
Exhibits
- [RF GaN transistors]
* 0.15µum AlGaN / GaN HEMT on SiC
* fT: 100GHz fmax: 150GHz
* Psat: 5-50W @ Sub 6GHz
* Linear Gain: ≥18dB @ 3.5GHz
* Max Drain Voltage: 100V
- [RF GaN MMIC & Foundry Service]
* 0.15µm AlGaN / GaN HEMT on SiC, Si, or Sapphire
* PDK (GaN HEMT Model, Microstrip / Coplanar Waveguide, etc.)
- [Switching GaN Transistor on Silicon]
* E-Mode / D-Mode AlGaN / GaN FET
* Current/Voltage Rating: 0.5-30A / 50-650V
* 650V / 20A Low Turn-on Voltage Schottky Barrier Diode using GaN-on-Si
展示製品の特徴
■放熱性の高いSiC基板を用いたGaNRFディスクリート部品(最大47dBm Power HEMT)
で、本品を用いてフェーズドアレイアンテナシステム用の高出力PAアレイモジュールが可能で、以下のような5Gインフラ等に採用可能。
・高出力5G基地局
・5G/O-RAN及びCPE
・Wi-Fi 6/6E/7 AP
■衛星通信には小型で高効率の電力増幅器が求められる。当社は、ダウンリンク用の超低ノイズKバンドGaAsLNA MMIC及びアップリンク用の36dBmのKa帯GaAs HPAを開発。
■最新の電力システム用に、GaN-on-Si技術を用いたGaNパワーFETは、高電圧、大電流、高速スイッチング能力を持ち、GaNパワーデバイスの電力密度も、現在のSiやGaAsデバイスに比べ数倍高く、小型化だけでなく、高効率化可。
■比較的低いターンオン電圧(VF〜0.5V)を特徴とし、同じ順方向電圧VFの場合、順方向電流IFも一般のSiCダイオードより大きく、より高い効率を実現した新ショットキーダイオード。
■3V以上の高しきい値電圧と大電流特性を有する革新的な強誘電体酸化膜をゲートに用いたGaNMISFET技術。VのモータードライバやGrid-Tieソーラーパネルのインバータでは、配線インダクタンス等により、スイッチング時に電圧グリッジが発生し、誤点弧に起因する故障や破壊が生じることがある。当社の強誘電体酸化膜をゲートに用いたGaN MISFETはVthを高くできることで、この問題を解決した。
