Microwave Workshop & Exhibition: Nov. 25-27, 2020, Pacifico Yokohama, JAPAN
Facebook MWE 2020 Official Page @MW_tenji マイクロウェーブ展展示委員会

出展社

 

アバ(株)
ABA Co., Ltd.


〒170-0005 東京都豊島区南大塚3-50-8
TEL
: (03)5928-8899
FAX
: (03)5928-8900
Mail
nakano@aba-japan.co.jp
Web
http://www.aba-japan.co.jp
担当
: 第二営業部

出展品目

  • [GaAs ウェハファウンドリサービス]
    * 6inch HBTプロセス
     2um HBT
    * 6inch pHEMTプロセス
     0.1um, 0.15um, 0.25um, 0.5um pHEMT
    * 4inch GaN on SiCプロセス
     0.15um, 0.25um, 0.45um GaN pHEMT

展示製品の特徴

■当社は、化合物半導体のファウンドリサービス、液晶パネル、IoTソリューションの商社として着実に実績を積み重ねてまいりました。今回、WIN Semiconductors社の代理店として長年培ってきた実績を基に、皆様方にご満足いただけるファウンドリサービスのご提案をさせていただきます。

■1999年10月に設立されたWIN Semiconductors社(台湾)は、世界で最初のpure-play 6-inch GaAs ファウンドリで、高速かつ高品質のGaAs MMIC(モノリシックマイクロ波IC)とRFIC(無線周波数IC)の需要の高まりを受けて、3つの先端テクノロジーを有するGaAsウェハFabを設立しました。

・5MHz〜130GHzのブロードバンド向けアプリケーションに対応したプロセステクノロジーを提供しております。

・テクノロジーについては、6inchによる以下のプロセスが提供できます。
 2µm HBT
 0.5µm pHEMT
 0.25µm power pHEMT、E/D pHEMT
 0.15µm LNA pHEMT
 0.15µm power pHEMT
 0.1µm power pHEMT
 0.5µm BiHEMT
 また、4inchによる0.45µm、0.25µmおよび0.15µm GaN on SiCプロセスもご提供しております。

・アプリケーションは、ハンドセット、WiFIアプリケーション、IoT、基地局、ディスクリート低ノイズ/パワーFET、SATCOM、VSAT、自動車などがございます。

・5G向けに適したプロセスは、0.15um GaNプロセスと同様、0.15um GaAs pHEMT の選択肢と対応できるプロセスをWIN semiconductor社は開発いたしました。

本ページの内容・写真等の無断転載を禁止します。All contents copyright @ MWE 2020 Steering Committee. All rights reserved.