出展社
取扱製品分野
- 測定器、製造装置、システム
- コンポーネント(アクティブ)
- コンポーネント(パッシブ)
- アンテナ
- 半導体素子、IC
- コネクタ、ケーブル
- 基板、各種材料、PKG
- シミュレータ、そのほかソフト全般
- 設計・測定請負サービス
- 金属・材料加工
- その他
アプリケーション分野
- 4G, 5G移動通信、
次世代ワイヤレスシステム
- 衛星・航空通信
- 放送、公共・防災無線
- 高度道路交通システム(ITS)
- レーダー
- IoT(産業、ヘルスケア、農業など)
- 計測システム
- ワイヤレス給電
- マイクロ波応用(マイクロ波加熱、バイオ、医療)
- その他
出展品目
- [GaAs ウェハファウンドリサービス]
* 6inch HBTプロセス
2um HBT
* 6inch pHEMTプロセス
0.1um, 0.15um, 0.25um, 0.5um pHEMT
* 4inch GaN on SiCプロセス
0.15um, 0.25um, 0.45um GaN pHEMT
展示製品の特徴
■当社は、化合物半導体のファウンドリサービス、液晶パネル、IoTソリューションの商社として着実に実績を積み重ねてまいりました。今回、WIN Semiconductors社の代理店として長年培ってきた実績を基に、皆様方にご満足いただけるファウンドリサービスのご提案をさせていただきます。
■1999年10月に設立されたWIN Semiconductors社(台湾)は、世界で最初のpure-play 6-inch GaAs ファウンドリで、高速かつ高品質のGaAs MMIC(モノリシックマイクロ波IC)とRFIC(無線周波数IC)の需要の高まりを受けて、3つの先端テクノロジーを有するGaAsウェハFabを設立しました。
・5MHz〜130GHzのブロードバンド向けアプリケーションに対応したプロセステクノロジーを提供しております。
・テクノロジーについては、6inchによる以下のプロセスが提供できます。
2µm HBT
0.5µm pHEMT
0.25µm power pHEMT、E/D pHEMT
0.15µm LNA pHEMT
0.15µm power pHEMT
0.1µm power pHEMT
0.5µm BiHEMT
また、4inchによる0.45µm、0.25µmおよび0.15µm GaN on SiCプロセスもご提供しております。
・アプリケーションは、ハンドセット、WiFIアプリケーション、IoT、基地局、ディスクリート低ノイズ/パワーFET、SATCOM、VSAT、自動車などがございます。
・5G向けに適したプロセスは、0.15um GaNプロセスと同様、0.15um GaAs pHEMT の選択肢と対応できるプロセスをWIN semiconductor社は開発いたしました。