出展社
(株)ビーコンテクノロジーズ
Beacon Technologies Inc. Japan
取扱製品分野
- 測定器、製造装置、システム
- コンポーネント(アクティブ)
- コンポーネント(パッシブ)
- アンテナ
- 半導体素子、IC
- コネクタ、ケーブル
- 基板、各種材料、PKG
- シミュレータ、そのほかソフト全般
- 設計・測定請負サービス
- 金属・材料加工
- その他
アプリケーション分野
- 4G, 5G移動通信、
次世代ワイヤレスシステム
- 衛星・航空通信
- 放送、公共・防災無線
- 高度道路交通システム(ITS)
- レーダー
- IoT(産業、ヘルスケア、農業など)
- 計測システム
- ワイヤレス給電
- マイクロ波応用(マイクロ波加熱、バイオ、医療)
- その他
展示製品の特徴
■パワーFETの開発に必須のバイアスTです。
・5G Sub6用
・Kuバンド(VSAT)用
※1GHzから15GHzまでカスタムで対応可能です。
・高出力GaN FET用高電流・高電圧対応も可
・SMAコネクタを使用しているため変換コネクタが不要です。
・仕様
挿入損 <0.5dB
反射損 -20dB(VSWR 1.22)
Bias 電圧 : 100V〜150V
電流 : 10A〜20A
RF : SMAコネクタ ※SMAへの変換コネクタが不要
DC: BNC