商社取扱企業
Microwave Technology, Inc.
4268 Solar Way, Fremont, CA 94538, U.S.A.
TEL : +1(510)651-6700 FAX : +1(510)952-4000 Web :
http://www.mwtinc.com
国内連絡先
出展品目
- MMICアンプ
- GaAs FET / pHEMTデバイス
- GaNアンプ
- LTE/WiMax/WLANワイヤレスアンプ
- ハイブリッドモジュール
- 宇宙用 / 高信頼度製品
- コネクタ付きアンプ
- ガンダイオード
- MRI用プリアンプ
Exhibits
- MMIC Amplifiers
- GaAs FET and pHEMT Devices
- GaN Amplifiers
- LTE/WiMax/WLAN & Wireless Amplifiers
- Hybrid Modules
- Space and Hi-Rel
- Connectorized Amplifiers
- Gunn Diodes
- Pre-amplifiers for MRI Applications
展示製品の特徴
■MwT社は30年以上にわたり高周波用半導体(GaAs、GaNパワーアンプ、ローノイズのpHEMTデバイス、MMIC、ワイヤレスアンプ、ハイブリッドモジュール)の設計から製造までを行っているメーカーです。面実装品を多くご用意しておりますが、一部コネクタ品の製品もございます。
■民生用の部品に加え、MILスペックの高信頼性部品も併せてラインナップしております。
■パッケージ品については殆どの製品につきまして評価ボードのご用意も御座います。
【ブロードバンドゲインブロックアンプ MMA-053223-Q3】
・周波数 : 0.5-3.2GHz
・リニアゲイン : 12dB
・Noise Figure : 3.5dB(typ.)
・P-ldB : 24dBm (typ.)
【WiMax / WLAN リニアパワーアンプ MMA-495933-Q5】
・周波数 : 4.9-5.9GHz
・リニアゲイン : 10.5・10.0 (Typ./Min.)
・P-ldB オプション : +36.5dBm、+33dBm、+30dBm
【高出力GaAs FET デバイス MwT-8】
・周波数 : 12GHz
・ゲイン : 7.5dB
・Output Power : 28dBm
