展示製品の特徴

■台湾トランスコム社は1998年マイクロウェーブデバイス、サブシステムの会社として設立され、高出力&低ノイズを必要とするアプリケーション向けに、高品質なGaAsデバイス(FET, MMIC)、及びAmplifier、Multiplierを設計開発しており、量産体制も整っております。

■標準製造プロセスは0.25µmと0.5µmのPHEMT, HFET & MESFETです。

■幅広い製品ラインナップから製品の選択が可能、顧客仕様に合わせたカスタムにも対応いたします。
短納期・低価格にて欧米、中東諸国にて民生・防衛市場ともに数多くの実績があります。