Microwave Workshop & Exhibition:Nov.28-30,2012 in Pacifico Yokohama,JAPAN
Facebook MWE 2013 Official Page

出展企業

Booth No. E401

東京計器(株)
Tokyo Keiki, Inc.

〒144-8551 東京都大田区南蒲田2-16-46
TEL
: (03)3732-2072
FAX
: (03)3732-2078
Mail
s-takasawa@tokyo-keiki.co.jp
Web
http://www.tokyo-keiki.co.jp/rf/j/index.html
担当
: 通信機器事業統括部 通信機器部 営業課

出展品目

  • GaN FET高出力増幅器
  • 2.45GHz固体化高出力半導体発振器
  • 可変型高出力高周波発振器(SSPO)
  • 各種RFデバイス、モジュール
    * GaN・LD-MOSドハティ、ストレートアンプ
    * 高電力ハイスピードスイッチ
    * VCO
    * フィルタバンク
    * 各種パッシブデバイス
  • シールドテント

Exhibits

  • GaN FET High Power Amplifire
  • 2.45GHz Solid State High Power Oscillator
  • Varriable High Power Oscillator(SSPO)
  • RF Device, RF Module
    * GaN, LD-MOS(Doherty), Straight-Amplifire
    * High Power High Speed Switch
    * VCO
    * Filter-Bank
    * Passive Device
  • RF Shielded Tent

展示製品の特徴

【GaN FET高出力増幅器】
GaAs FETに比べて絶縁破壊耐性が高く、高出力、高効率、小型化が注目されているGaN FETを用いた高出力増幅器を検討、開発を進めています。
電力合成を行った、出力100W超 GaN FET高出力増幅器の出展を予定しています。

【ISM帯一体型半導体高出力発振器】
100W高利得増幅器に2.45GHz(ISM帯)VCOを内蔵した高出力半導体発振器を出展いたします。
マグネトロンに比べて高い周波数安定度、1Wからの出力可変機能等の優れた点があり、弊社ではお客様のご要求仕様に合わせて出力10〜500Wの固体化高出力半導体発振器を製造・販売いたします。

【可変型高出力高周波発振器(SSPO)】
2.45GHz自励発振器(100W出力)を開発し出展いたします。
出力をパルス制御することで平均電力をほぼゼロから100Wまでリニアに可変することが可能です。
マグネトロンに比べて誘電加熱においては、出力を精密に制御できるために各種アプリケーションに最適です。

【各種RFデバイス】
広帯域高利得増幅器、広帯域LNA、VCO、RFスイッチ、各種パッシブデバイス等を展示いたします。
カタログ品以外にもお客様に合わせた製品を提供いたします。

【シールドテント】
東京計器アビエーション株式会社ではRF関連製品の研究開発・調整検査等を行なう際に障害となる外部/内部からの電磁波を遮蔽する各種シールドルーム・シールドボックス・電波暗箱の設計製造・販売いたします。
今回、特殊シールドクロスを使用したテント型シールドルーム出展いたします。10分〜30分程度で設置が可能で、使用後は折りたたんで収納することもできます。また通常のシールドルームより安価に製作が可能です。

本ページの内容・写真等の無断転載を禁止します。All contents copyright @ MWE 2013 Steering Committee. All rights reserved.