Microwave Workshop & Exhibition:  Nov. 25-27, 2017, Pacifico Yokohama,JAPAN
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出展社

Booth No. L-02

NXPジャパン(株)
/ リチャードソン・アールエフピーディー・ジャパン(株)
NXP Japan Ltd. / Richardson RFPD Japan

〒150-6024 東京都渋谷区恵比寿4-20-3 恵比寿ガーデンプレイスタワー 24F
TEL
: (0120)950-032
FAX
: (03)3442-3153
Mail
Web
http://www.nxp.com/ja
担当

出展品目

  • LTE / 5G向け48V ハイパワーGaN
  • LTE / 5G向け3W-5W スモールセル・モジュール
  • 無線基地局向け28V ハイパワーLDMOS
  • 無線基地局向け48V ハイパワーLDMOS
  • ISM (産業 / 科学 / 医療機器) 向け50V 耐VSWR LDMOS
  • ISM (産業 / 科学 / 医療機器) 向け65V 耐VSWR超ハイパワーLDMOS

Exhibits

  • 48V High Power GaN for LTE and 5G
  • 3W-5W Small Cell Module for LTE and 5G
  • 28V High Power LDMOS for Cellular Base Station
  • 48V High Power LDMOS for Cellular Base Station
  • 50V Hi Ruggedness LDMOS for ISM
  • 65V Hi Ruggedness and Very High Power LDMOS for ISM

展示製品の特徴

■NXPのRFパワー製品は1MHzから5GHzをカバーする300製品以上のポートフォリオにより、無線基地局ならびに、ISM (産業 / 科学 / 医療機器) の市場においてNo.1 のポジションを保持しています。

■性能の観点においても我々の製品は、パワー特性、高効率、リニアリティ、広帯域特性、温度特性、堅牢性と集積度において先進の性能を誇ります。さらにアプリケーション・サポート、確固たるサプライチェーンによる安定供給と競争力のある価格帯をお客様に提供します。

■NXPは2017年4月にRFパワーの設計を迅速化する新しい65V LDMOS技術を発表しました。この超高電圧LDMOSプロセスをベースとする「MRFXシリーズ」の初の製品は、業界で最もパワフルなクラスの連続波(CW)RFトランジスタであるMRFX1K80です。1MHzから470MHzのアプリケーション向けに65V時に1.8KWのCWを提供し、65:1の電圧定在波比(VSWR)への対応が可能です。MRFX1K80は既存の50Vトランジスタとピンコンパチブルで、設計の再利用を可能にし開発期間の短縮に貢献します。

■基地局向け製品においては、NXPは日本市場向けに3.5GHzに対応するハイパワー製品を提供しており、4.7GHのGaN製品を開発中です。

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