展示製品の特徴

■1999年10月に設立されたWIN Semiconductors社は、世界で最初のpure-play 6-inch GaAs ファウンドリで、高速かつ高品質のGaAs MMIC(モノリシックマイクロ波IC)とRFIC(無線周波数IC)の需要の高まりを受けて、3つの先端テクノロジーを有するGaAsウェハFabを設立しました。

■わが社は、5MHz〜130GHzのブロードバンド向けアプリケーションに対応したプロセステクノロジーを提供しています。 テクノロジーについては、2µmHBT、0.5µmpHEMT、0.25µmパワーpHEMT、0.25µmE / D pHEMT、0.15µmLNA pHEMT、0.15µm　Power pHEMT、0.1µm Power pHEMT、BiHEMTの統合プロセスを含め 、4inchによる0.45µm、0.25µmおよび0.15µm GaN on SiCプロセスをご提供いたします。

■また、上記のプロセスのアプリケーションは、ハンドセット、WiFIアプリケーション、IoT、ベースステーション、ディスクリート低ノイズ/パワーFET、SATOM、VSAT、自動車などのアプリケーションにも適合します。 さらに、次の第5世代アプリケーション向けに適したプロセスですが、0.15µm GaN プロセスと同様、0.15µm GaAs pHEMT procoessも選択肢と対応できるプロセスを開発しました。