展示製品の特徴

■ASB社は、10年以上蓄積された半導体技術をベースに、GaAs HBT 、pHEMT 技術を用いたRFアンプ、ゲインブロック向けアンプや広帯域アンプなど 種々の10GHzまでの超廉価版のマイクロウェーブ用デバイスを供給しております。

■またASB社のSiGe HBT技術は、韓国・アメリカ・日本などで特許権を獲得した「先端高周波技術」(エミッタ面積が1×4µ�o、素子の動作速度は70GHz程度)であり、抵抗・インダクター・キャパシタなどをウェハー上で駆動できるよう、受動素子のライブラリーを用いることにより、最先端高周波フルチップセット(MMIC)、移動体通信用ハンドセット、インフラ用デバイス(WiMAX、LTE、各種携帯電話、ITS-DSRC、ワイヤレスLAN他)を製造しております。