出展品目
- MBE(分子線エピタキシー)法による、高品質InP / GaAs / GaSb / Siエピウエハ
Exhibits
- High Quality InP / GaAs / GaSb / Si Epitaxial Wafers by MBE (Molecular Beam Epitaxy)
取扱企業
Intelligent Epitaxy Technology, Inc
1250 E. Collins Blvd., Richardson, TX 75081, U.S.A.
TEL : +1(972)234-0068 FAX : +1(972)234-0069 Web : http://intelliepi.com
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国内連絡先
(株)エーティーエヌジャパン [ Booth No. D07 ]
〒224-0003 神奈川県横浜市都筑区中川中央1-35-16
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- TEL
- : (045)910-4471
- FAX
- : (045)910-4615
- : sales@atnjapan.com
- Web
- : http://www.atnjapan.com
- 担当
- : 営業部
展示製品の特徴
■MBE法によるInP、GaAs、GaSbおよびSi基板上の高品質エピタキシャルウエハを、RF/マイクロ波、高速デジタル通信、オプトエレクトロニクス用途向けに御提供致します。・MBE装置によるエピ成長を専業とし、InPエピの生産においては業界最大手。長年の実績と高い専門性を誇る
・特許を取得しているエピ成長技術、リアルタイム監視(OFM)システムにより、高い再現性、生産性を実現
・開発要素を含む特殊な構造のエピを除き、通常納期は4〜6週間と非常に短納期
・大/中/小型のMBE装置を現在12台所有し、量産を完全サポート(月産最大11,000枚/6インチ換算)すると同時に、R&D向けの少量生産にも対応
・InP系はHBT/HEMT/RTD/RTT/PIN/APD等、GaAs系はPHEMT/MHEMT/PIN/QWIP/VICSEL/Diode Laser等、GaSb系はT2SLS/センサー等
に向けたエピ成長を実施
・GaSbは結晶成長から基板製造、研磨までを独自に行うとともに、CdZnTeおよびInSbの結晶成長を開発中