出展企業
Booth No. E09
三菱電機(株)
Mitsubishi Electric Corp.
〒100-8310 東京都千代田区丸の内2-7-3
- TEL
- : (03)3218-2160
- FAX
- : (03)3218-2188
- : QA.crd@rf.MitsubishiElectric.co.jp
- Web
- : http://www.MitsubishiElectric.co.jp
- 担当
- : 開発本部 開発業務部 業務グループ
出展品目
- 衛星通信地上局用Ku帯高出力増幅器とGaN HEMT
- 気象レーダ用C帯高出力増幅器
- 電力伝送用C帯モジュール
- 3.5GHz帯第4世代移動通信システム基地局用高出力電力 GaN HEMT
- GaNを用いた半導体方式マイクロ波加熱炉
- 高感度マイクロ波センサ
Exhibits
- Ku-Band SSPA for Satellite Communication and GaN HEMT
- C-Band SSPA for Weather Radar
- C-Band Module for Power Transmission
- 3.5GHz-band High power GaN HEMT for 4G Mobile-communication Base Transceiver Stations (BTS)
- Semiconductor Microwave Heating Chamber with GaN Modules
- High-Sensitive Microwave Sensor
展示製品の特徴
【衛星通信地上局用Ku帯高出力増幅器とGaN HEMT】80W級GaN HEMT適用による電力密度の向上と、高性能な歪補償回路を適用することによる高い線形性と省電力化、小型化を両立しました。さらにリニアライザ内蔵GaN HEMT MMICから高出力GaN HEMTの幅広いラインアップで、衛星通信地上局用電力増幅器の小型化、低消費電力化、低ひずみ化に貢献します。
【気象レーダ用C帯高出力増幅器】
気象レーダ用C帯GaN増幅器モジュールで、低損失電力合成回路の適用等により業界トップクラスの高出力化を実現しました。
【電力伝送用C帯モジュール】
無線電力伝送システムでは送電効率が、産業応用等では送電モジュールの小型・軽量化が重要です。業界トップクラスの高い送電効率と薄型・軽量化を同時に実現しました。
【3.5GHz帯第4世代移動通信システム基地局用高出力電力 GaN HEMT】
業界最高クラスの高出力・高効率のGaN HEMTにより移動通信システム基地局のカバーエリアの拡大や小型・低消費電力化に 貢献します。
【GaNを用いた半導体方式マイクロ波加熱炉】
複数のマイクロ波GaN増幅器モジュールからの出力電力をコヒーレント合成して集中加熱を実現。マイクロ波加熱の高効率化と省エネルギーに貢献します。
【高感度マイクロ波センサ】
巻き線機器等の部分放電により発生する微弱な電波を専用パッチアンテナでキャッチ、高感度で電波の強度に比例した信号に変換して出力します。