[ パネル カテゴリ ] 半 導 体
ダイオード(D)
年代 |
分類 |
名 称 |
機 関 |
PDF |
1950 | D7 |
Siマイクロ波受信用ミキサーダイオード |
NEC | |
1964 | D8 |
N型GaAsバルク試料にてマイクロ波発振を確認 |
東芝 | |
1966 | D9 |
Geシルバーボンドダイオードによるミリ波連続発振 |
NTT | |
1968 | D1 |
高出力ガンダイオードの製品化 |
NEC | |
1968 | D2 |
受信用GaAsショットキバリアダイオードの製品化 |
NEC | |
1968 | D3 |
高出力Siエピタキシャル拡散型インパッドダイオードの製品化 |
NEC | |
1970 | D10 |
高性能GaAsプレーナPNバラクタダイオード |
東芝 | |
1972 | D4 |
30GHz帯GaAsショットキバリアインパッドダイオード |
日立 | |
1973 | D11 |
80GHz帯Siインパッドダイード |
NTT | |
1976 | D12 |
200GHz帯Siインパッドダイード |
NTT | |
1978 | D13 |
サブミリ波周波数逓倍器 |
NTT | |
1980 | D6 |
サブミリ波Pt/GaAsショットキダイオード検出器/ミキサ |
東北大通信研 | |
Siトランジスタ(T)
年代 |
分類 |
名 称 |
機 関 |
PDF |
1964 | T9 |
マイクロ波Siトランジスタの製品化 |
NEC | |
1968 | T1 |
メッシュエミッタ高周波高出力トランジスタ |
富士通 | |
1969 | T2 |
イオン注入型Si低雑音トランジスタ |
東芝 | |
1974 | T3 |
マイクロ波ビームリードトランジスタ |
富士通 | |
1974 | T4 |
SiUHF帯MOS高出力FET |
富士通 | |
1976 | T10 |
SET (Stepped Electrode Transistor) |
NTT | |
1979 | T5 |
1GHz100W静電誘導トランジスタ |
三菱 | |
1980 | T11 |
Si SSTトランジスタ |
NTT | |
1983 | T6 |
民生用1GHz帯超低雑音トランジスタの製品化 |
NEC | |
1983 | T7 |
低電圧動作高効率UHF帯SiMOS高出力FET |
日立 | |
1988 | T8 |
Ku帯発振用Siトランジスタの製品化 |
NEC | |
GaAs FET(F)、HEMT(H)および HBT(HB)
年代 |
分類 |
名 称 |
機 関 |
PDF |
1970 | F8 |
GaAs FET試作 |
東芝 | |
1972 | F1 |
マイクロ波低雑音GaAsFET |
日立 | |
1973 | F2 |
世界初の電力GaAsFET |
富士通 | |
1975 | F3 |
低雑音0.5μmゲートGaAsFET |
NEC | |
1977 | F4 |
内部整合回路付高出力GaAsFET |
NEC | |
1980 | H1 |
HEMT最初の発表 |
富士通 | |
1980 | F5 |
ミリ波低雑音GaAsFET |
東芝 | |
1981 | F6 |
10GHz10WフリップチップGaAsPowerFET |
三菱 | |
1982 | F7 |
DBS用超低雑音GaAsFETの製品化 |
NEC | |
1984 | F9, HB1 |
AlGaAs/GaAsHBT |
NTT | |
1986 | H2 |
超低雑音HEMTの製品化 |
富士通 | |
1989 | F10 |
インテルサットZ衛星搭載用C帯内部整合FET |
三菱 | |
1989 | H3 |
0.1μmゲートミリ波低雑音HEMT |
東芝 | |
1993 | HB2 |
外部ベース選択成長AlGaAs/InGaAs HBT |
NEC | |
1995 | H4 |
ディジタル携帯電話向け電力増幅器用GaAsヘテロ接合FET |
NEC | |
MMIC(M)および モジュール(MD)
年代 |
分類 |
名 称 |
機 関 |
PDF |
1969 | C1, MD1 |
18GHz帯常温パラメトリック増幅器 |
日立 | |
1971 | C2, MD2 |
20GHz帯IC化バランスドミキサ |
NTT | |
1971 | C3, MD3 |
20GHz帯帯域反射型高安定ガンダイオード発振器 |
NTT | |
1976 | M12 |
6GHz帯GaAsFET4段パワーアンプモジュール |
富士通 | |
1980 | C4, MD4 |
GaAsFET誘電体発振器 |
三菱 | |
1981 | M1 |
準ミリ波帯GaAs低雑音増幅器MMIC |
NEC | |
1982 | M2 |
世界最高性能SiMMICの製品化 |
NEC | |
1984 | M3 |
30GHz帯GaAsMMIC高出力増幅器 |
三菱 | |
1984 | M4 |
3.3GHzSiプリスケーラMMICの製品化 |
NEC | |
1984 | M5 |
X帯5bitMMIC移相器 |
三菱 | |
1984 | M6 |
多機能集積化GaAsMMIC |
NEC | |
1985 | M7 |
1GHzGaAsPrescalerIC |
三菱 | |
1987 | M8 |
X帯高耐圧MMICTRスイッチ |
三菱 | |
1987 | C5, MD5 |
GaAsFETを使用した携帯電話用電力増幅器モジュールの製品化 |
富士通 | |
1988 | M9 |
Ka帯AlGaAs/GaAsHBTモノリシック発振器 |
NEC | |
1989 | M10 |
14GHz帯GaAsプリスケーラICの製品化 |
NEC | |
1989 | M11 |
6GHz帯超広帯域SiバイポーラMMIC |
NEC | |
1991 | M13 |
アンチパラレルダイオードペアを用いた40GHz帯モノリシック偶高調波ミクサ |
三菱 | |
1991 | M14 |
アナログ携帯電話用MMIC HPA |
三菱 | |
1992 | M16 |
1.9GHz帯MMIC電力増幅器 |
東芝 | |
1992 | MD6 |
40GHz帯アンテナ一体化MMIC受信コンバータ |
三菱 | |
1992 | M15 |
衛星搭載用38GHz帯電力増幅MMIC |
富士通 | |
1992 | M23 |
低損失、高耐電力W帯バランス形MMICダイオードミクサ |
三菱 | |
1992-94 | M17 |
3次元MMIC技術 |
NTT | |
1994 | M20 |
携帯電話用低電圧動作MMIC高出力増幅器 |
三菱 | |
1994 | MD7 |
携帯電話用SAWフィルタ内蔵受信MCM |
三菱 | |
1994 | M22 |
GSM用HBT MMICパワーアンプ |
シャープ | |
1994 | M21 |
携帯電話用直交変調器内蔵アップコンバータ Si-MMIC |
NEC | |
1994 | M18 |
60GHz帯ワンチップMMIC受信回路 |
ミリウェーブ/富士通 | |
1995 | M19 |
大規模GaAs MMIC可変ビーム形成回路網 |
NTT | |
注) 版権が確認され次第、詳細内容が閲覧可能なPDFへリンクを貼っていく予定です。
掲載に問題がある場合には、お手数ですが、MWE事務局へご連絡下さい。