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Cree, inc.
4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703, U.S.A.
TEL: +1-919-313-5300 FAX: +1-919-313-5451
国内連絡先: セキテクノトロン(株)
〒135-0042 東京都江東区木場3-19-3
- TEL
- : 03-3820-1716
- FAX
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- Mail
- : components@sekitech.co.jp
- Web
- : http://www.sekitech.co.jp/product/index_compo.html
- 担当
- : 第3営業部
| 出展品目 |
Exhibits
- Exhibits Gallium Nitride (GaN) HEMT
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展示製品の特徴
■ 米国クリー社は、ガリウムナイトライド(GaN) HEMT, シリコンカーバイド(SiC)のウエファー及びHEMT, MESFET製品のパイオニア的存在であり、業界のリーディングカンパニーです。
■ ワイドバンドギャップ素子は、シリコンおよびガリウム砒素より優れた熱特性により、高周波部品への応用に注目を集めております。その特性を生かした『GaN HEMT』『SiC MESFET』は、広帯域、高出力増幅器のキーパーツであり、高速移動体通信として注目されている「WiMAX」等の用途に最適です。
■ 当社はクリー社の製造する『SiC MESFET』と『GaN HEMT』を取り扱っております。
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