Intelligent Epitaxy Technology, Inc.
取扱企業 住 所 = 1250 E. Collins Blvd. Richardson, TX 75081, U.S.A.
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- 担当
- : 営業部
出展品目
- MBE (分子線エピタキシー)法による、高品質InP/GaAsエピウェハ
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Exhibits
- High Quality InP and GaAs Epitaxial Wafers by MBE (Molecular Beam Epitaxy)
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展示製品の特徴
■MBE法によるInP系、GaAs系の高品質エピタキシャルウェハを、RF/マイクロ波、高速デジタル通信、オプトエレクトロニクス用途向けに御提供致します。
・独自のIn-situモニタリングシステムによる、高い再現性と面内均一性
・一般的な構造のエピウェハは、2〜4週間で納入中
・大/中型のMBE装置を現在7台所有し、量産を完全サポート (月産最大11,700枚/4" 換算)
・InP系ではHBT, HEMT, PIN, APD等、GaAs系ではPHEMT, MHEMT, PIN 等を、多くのお客様に御提供中
・InPウェハは4" まで、GaAsウェハは6" まで対応
・エピ成長後の即時対応を可能にする、充実したウェハ評価設備
・新製品開発にも積極的に対応
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