小型化・複合化が進む電子機器において、RF/マイクロ波特性を保つために理想的な構造を保つことは不可能となってきています。 ANSYS/Ansoft の融合から2年、電子機器の回路・電磁界・構造・熱・流体のトータルデザインを実現するべくANSYS/Ansoft製品は進化を続けています。
本セミナーでは、進化を続けるANSYS/Ansoft製品のRF/マイクロ波向け最新情報を事例を交えながらご紹介します。

大規模問題への高い対応力を備える3D電磁界解析ソフトウェア「FEKO」。大きなメッシュサイズで利用可能な新しいPO、MLFMM-FEMハイブリッド解析など、新バージョン：Suite 6.0で導入された新機能/機能拡張により、大規模電磁界問題が今まで以上に高速・高精度で解析可能となります。
本セミナーでは、この「FEKO Suite 6.0」の主要な機能・特長をご紹介します。

・3次元任意形状の解析が可能
・誘電体や磁性体を含む構造物の解析が可能
・モーメント法による高精度、高速解析が可能
・高次基底関数による少ない未知数での高精度、高速解析
・四角メッシュにより未知数が半減
・WIPL-D Pro CADシステムにより3次元CADデータの取り込みが可能

・RCS（レーダークロスセクション）用標準ターゲット
・自動車、自転車、人間等のRCS測定システム
・レーダー評価システム（距離、速度、パワー、周波数）
・エンブレム、カバー最適化測定システム（透過減衰量測定）
・レーダー取り付け調整システム
・アンテナ、プリント基板およびレドーム用誘電率・誘電正接測定システム（垂直方向）
・ベクトルネットワークアナライザ用ミリ波拡張モジュール

近年、電子機器や電気自動車の充電の一方法として注目を浴びている非接触給電の現象を理解する目的で、電磁波解析ソフトMAGNA / TDMを用いて、その過渡現象についてシミュレーションした事例をご紹介します。
また同時に、GPGPUによる計算高速化への取り組みについてご紹介します。

200MHz〜1000 MHz、3kW（min）、16way
1000MHz〜2500MHz、2kW（min）、16way

移動体基地局用の無線通信ユニットRRH（Remote Radio Head）の紹介と主要技術である高効率アンプ技術、フィルタ（デュープレクサ）技術およびデジタルプリディストーション歪補償技術をご紹介します。

SiGeをベース材料に用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）は、高価なGaAsをベース材料に用いたトランジスタに迫る高周波特性と低ノイズ特性を持つため、マイクロ波、光通信、高精度計測機器等に用いられています。
このHBTを高集積なCMOS LSIに混載することで、情報通信インフラを支える光通信用LSIの1チップ化などを実現可能にする技術が日立のSiGe BiCMOSプロセスです。
本セミナーでは、日立のSiGe BiCMOSプロセスをご利用いただけるファンドリサービスの概要と各種デバイス特性、信頼度、モデル精度、開発試作例等をご紹介します。

NXP独自のSiGe:Cプロセス「QUBiC4」を用いた無線基地局アプリケーション向け高性能MMIC製品ファミリーをご紹介します。 GaAsプロセスとの比較を通じ、SiGeベースの製品メリットを簡潔に説明します。また無線基地局のトレンド分析を基に、今後の開発方向性やロードマップについてご紹介します。

RFHIC社は高効率で広帯域をカバーするGaN Pallet Ampを開発しました。
アプリケーションとしては今後市場での急拡大が見込まれるLTE、WiMAX、Digital TV等の通信インフラおよびS-Band/X-Band帯域でのPulse Radar用としての製品ラインアップをご紹介します。