Booth No. D304
(株)日立製作所
Hitachi, Ltd.
出展品目
- SiGeBiCMOSファンドリーサービス
- 高性能SiGeバイポーラトランジスタ
（高fT、低ノイズ）
- 受動素子特性
- プロセスラインナップ
- 製品適用例
- 開発ロードマップ
- カスタムプロセスファンドリー
Exhibits
- SiGeBiCMOS Foundry Service
- High Performance SiGe-HBT
(High fT / Low Noise)
- Passive Devices
- Process Lineups
- Product Examples
- Development Roadmap
- Custom Process Foundry Service
展示製品の特徴
■SiGeをベース材料に用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）は、高価なGaAsをベース材料に用いたトランジスタに迫る高周波特性と低ノイズ特性を持つため、マイクロ波、光通信、高精度計測機器等に用いられています。
■このHBTを高集積なCMOS LSIに混載することで、情報通信インフラを支える光通信用LSIの1チップ化などを実現可能にする技術が日立のSiGe BiCMOSプロセスです。
■日立ブースでは、日立のSiGe BiCMOSプロセスをご利用いただけるファンドリサービスの概要と各種デバイス特性、信頼度、モデル精度、開発試作例等をご紹介します。
