展示製品の特徴

■MTSのGaNパワートランジスターはGaN on SiCの構造を取りパワー、ゲイン特性、高効率及び広帯域性において、LDMOS、MOSFET、Bipolar Transistorでは実現出来ない特性を提供します。他社と差別化するためVbを200V/min.としています。　L&S Band Radar向けは内部整合型、そして、General Application向けは内部整合無しであり、パワーライナップとしては10W〜250Wの製品があります。

■Gain Block用Ampについては、InGap HBTとMESFETを使用した製品をリリースしており、今回、CGB8001-SC(InGaP HBT)とCMM6004-SC(MESFET)を展示します。

■LNAについては、MAAL-007104/5/6の3製品をリリースしています。3製品とも外部抵抗により電流を調整出来る機能があり、又、Active Bias Circuit及びESD protectionを標準としてオンチップに内蔵しています。E-mode pHEMTプロセスから得られるNF及びOIP3特性は、LTE、WiMax、WCDMAのインフラ向けに最適です。