展示製品の特徴

■Bias-Tは、従来のGaAs FETデバイス向けに加え、GaN FETに最適な以下ラインナップを新しくご紹介します。
　・2〜7GHz/10A/150V/100Wのハイパワー・高耐圧品
　・20MHz〜6GHz/5Amax/100Vmax/10Wの広帯域品
　・20MHz〜6GHz/25Wの広帯域・ハイパワー品

■表面実装型Bias-T、20MHz〜6GHzの広帯域品を展示します。

■GaN FET保護用のDCボードを展示します。

■温度補償系、高誘電率系キャパシターは、サイズ)□0.25mmから、容量値は0.1pFより多数ラインナップしています。

■超高誘電体キャパシター「ALTAS®」 は、高誘電体材料を使用、単板キャパシターに於いて世界最小サイズで高容量値を実現しています。

■アルミナ薄膜回路基板は、低損失アルミナ基板を使用し抵抗成分を組み込んだ各種パターニングが可能です。

■C〜Ku帯PAをODMにて承っています。