取扱企業

Nitronex Corp.

2305 Presidential Drive, Durham, NC 27703, U.S.A.
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国内連絡先

リチャードソン・アールエフピーディー・ジャパン(株) [ Booth No. E201 ]
113-0033 東京都文京区本郷3-22-5 住友不動産本郷ビル7F
TEL
: (03)5844-0521
FAX
: (03)5844-0527
Mail
skihara@richardsonrfpd.com
Web
担当
: 木原

出展品目

  • [GaN HFET]
    DC-6GHz、5W-200W

Exhibits

  • [GaN HFET]
    DC-6GHz, 5W-200W

展示製品の特徴

■ナイトロニクス社は、安価で高品質のシリコン基板上にワイドギャップ半導体であるGaN(窒化ガリウム)を高品質に製造することが出来る独自技術(SIGANTIC TM )によりコスト競争力のある高性能GaN HFETの開発に成功しました。

■GaN HFETはパワー効率が高く、広帯域にわたりハイパワーを出力でき、高周波回路としての整合を取りやすいことが主な特徴になっています。

■また、ナイトロニクス社では、シリコン基板をベースとした製造技術により業界初のプラスチックパッケージに封印したGaN HFETを提供させて頂いております。