M/A-Com Technology Solutions, Inc. (MTS)
国内連絡先
出展品目
- GaNパワートランジスターのラインナップからS&L Bandレーダー及びGeneral Application向けのシリーズ（10W〜250W）
- Gain Block用のMedium Power Amp及び受信ブロック用のLNA
Exhibits
- GaN Power Transistors (10-250W) for L&S Band Radar and General Application
- Medium Power Amp. and LNA for Gain and Rx Block
展示製品の特徴
■MTSのGaNパワートランジスターはGaN on SiCの構造を取りパワー、ゲイン特性、高効率及び広帯域性において、LDMOS, MOSFET, Bipolar Transistorでは実現出来ない特性を提供します。他社と差別化するためVbを200V min.としています。L&S Band Radar向けは内部整合型、そして、General Application向けは内部整合無しであり、パワーライナップとしては10W〜250Wの製品があります。
■Gain Block用Ampについては、InGap HBTとMESFETを使用した製品をリリースしており、今回、CGB8001-SC(InGaP HBT)とCMM6004-SC(MESFET)を展示します。
■LNAについては、MAAL-007104/5/6の3製品をリリースしています。3製品とも外部抵抗により電流を調整出来る機能があり、又、Active Bias Circuit及びESD protectionを標準としてオンチップに内蔵しています。E-mode pHEMTプロセスから得られるNF及びOIP3特性は、LTE, WiMax, WCDMAのインフラ向けに最適です。
