Booth No. A403
(株)日立製作所
Hitachi, Ltd.
出展品目
- SiGeBiCMOSファンドリサービス
・SiGeBiCMOSプロセスの特長
・高性能SiGeバイポーラトランジスタ
・受動素子
・プロセスラインアップ
・マイクロ波回路設計例
・試作結果 (リアルタイム展示)
・各種製品適用例
Exhibits
- SiGe-BiCMOS Foundry Service
・Features of SiGe-BiCMOS Process
・High Performance SiGe-HBT
・Passive Devices
・Process Lineups
・Examples of Microwave-Circuits Design
・Fabrication Results (Realtime Exhibition)
・Examples of Products
展示製品の特徴
■SiGeをベース材料に用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は、優れた高周波特性と低ノイズ特性で、RF/マイクロ波、光通信、計測等の機器に用いられています。
■このHBTを高集積なCMOSと混載することで、高性能なICを実現するのがSiGeBiCMOSプロセスです。
■日立は世界最高レベルのSiGeHBTを含むBiCMOSプロセスをファンドリとして、あるいはカスタムICとしてご提供しています。
■日立ブースでは、その特長と各種デバイス特性、ご提供するプロセス内容、実際の使い方等を、最新のリリース内容と共にご紹介いたします。また、本ファンドリを用いたマイクロ波回路の設計例を実際に試作したICのリアルタイム動作展示でご紹介する予定です。
