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Nitronex Corp.
2305 Presidential Dr, Durham, NC 27703, U.S.A.
TEL: +1-919-807-9100 FAX: +1-919-807-9200
国内連絡先: リチャードソンエレクトロニクス(株)
〒113-0033 東京都文京区本郷3-22-5 住友不動産本郷ビル7F
- TEL
- : 03-5844-0523
- FAX
- : 03-5844-0527
- Mail
- : miki@rell.com
- Web
- : http://www.rell.co.jp
- 担当
- : 半導体・高周波グループ
出展品目
- GaN HFET
・2.5GHz帯：15W、100W、190W(開発中）、240W(開発中)
・3.5GHz帯：15W、50W
- ブロードバンド
4W、25W、40W(開発中)、50W、80W(開発中)
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Exhibits
- GaN HFET
・for 2.5GHz WiMAX: 15W, 100W, 190W (under dev), 240W (under dev)
・for 3.5GHz WiMAX: 15W, 50W
- Broadband
4W, 25W, 40W (under dev), 50W, 80W (under dev)
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展示製品の特徴
■ナイトロネクス社は、安価で高品質のシリコン基板上にワイドギャップ半導体であるGaN(窒化ガリウム)を高品質に製造することが出来る独自技術(SIGANTIC™)により、コスト競争力のある「高性能 GaN HFET」の開発に成功しました。
■「GaN HFET」は、パワー効率が高く、広帯域にわたりハイパワーを出力でき、高周波回路としての整合を取りやすいことが主な特徴になっています。
■またニトロネクス社では、シリコン基板をベースとした製造技術により、業界初のプラスチックパッケージに封印した「GaN HFET」を提供させて頂いております。
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