MWE 2007 マイクロウェーブ展 2007 事務局 (株)リアルコミュニケーションズ 〒270-0034 松戸市新松戸1-409 新松戸Sビル3F TEL : 047-309-3616 FAX : 047-309-3617 E-mail : mweapmc@io.ocn.ne.jp
本ページの内容・写真等の無断転載を禁止します。
All contents copyright
@ MWE 2007 Steering Committee.
All rights reserved.
出展企業

Cree, Inc.
4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703, U.S.A.
TEL: +1-919-313-5300   FAX: +1-919-313-5451

国内連絡先: セキテクノトロン(株)

〒135-0042 東京都江東区木場3-19-3
TEL
: 03-3820-1716
  
FAX
: 03-3820-1733
Mail
components@sekitech.co.jp
Web
http://www.sekitech.co.jp/product/index_compo.html
担当
: 電子機器部
出展品目
  • ガリウムナイトライド (GaN) HEMT
Exhibits
  • Gallium Nitride (GaN) HEMT
展示製品の特徴
    ■米国クリー社は、ガリウムナイトライド (GaN) HEMT, シリコンカーバイド (SiC) のウエファー及びHEMT, MESFET製品のパイオニア的存在であり、業界のリーディングカンパニーです。

    ■ワイドバンドギャップ素子は、シリコンおよびガリウム砒素より優れた熱特性により、高周波部品への応用に注目を集めております。その特性を生かした「GaN HEMT」「SiC MESFET」は、広帯域、高出力増幅器のキーパーツであり、高速移動体通信として注目されている「WiMAX」等の用途に最適です。

    ■当社はクリー社の製造する「SiC MESFET」と「GaN HEMT」を取り扱っております。