MWE 2007 マイクロウェーブ展 2007 事務局 (株)リアルコミュニケーションズ 〒270-0034 松戸市新松戸1-409 新松戸Sビル3F TEL : 047-309-3616 FAX : 047-309-3617 E-mail : mweapmc@io.ocn.ne.jp
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出展企業

Global Communication Semiconductors, Inc.
23155 Kashiwa Court, Torrance, CA 90505, U.S.A.
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Mail
info2@saint-tec.co.jp
Web
http://www.saint-tec.co.jp
担当
: 製品企画本部
出展品目
  • 性能、及び信頼性の高いプロセスで、GaAs InGaP HBT (パワー・プロセス3種類、高耐圧プロセス、デジタル(High fT)プロセス)、PHEMT (パワー・プロセス、スイッチ・プロセス)、HFET、InP HBTプロセス、オプトエレクトロニクス、SAWフィルタの化合物半導体ファウンドリ・サービスを提供
Exhibits
  • Offering compound semiconductor foundry services with high performance and high reliability for GaAs InGaP HBT (Power process, Digital process), PHEMT (Power process, Switch process), HFET and InP HBT process, and also for Opto-electronics devices and SAW Filters
展示製品の特徴
    ■米国GCS社は、化合物半導体ファウンドリ・サービス専業メーカで、InGaP HBT、PHEMT、InP HBT、オプトエレクトロニクス製品、SAWフィルタ等を供給しています。

    ■InGaP HBTパワー・プロセスは、WCDMA、GSM等の携帯電話のハンドセット用PA、無線LAN用PA向けに3種類。また、基地局用PA向けに高耐圧プロセスも用意しています。InGaP HBTデジタル・プロセスはレーザ・ドライバ等の用途向けにFtを高くしたプロセスです。位相雑音の低さからVCOで好評を得、現在市場に出回っているVCOの多くはGCS社のプロセスを使用しています。

    ■PHEMTプロセスには、携帯電話、無線LANのスイッチ向けにマスク枚数を半減して低コストを実現したスイッチ・プロセス、及びLNA、PA向けパワー・プロセスの2種類があります。これら0.5umプロセスに加え、これまで通りオプティカル・ゲートを使用した0.25umプロセスもリリースしました。

    ■また、より高リニアリティを特長に0.5um HFETプロセスもラインアップに加えます。

    ■GCS社はInP HBTプロセスのファウンドリ・サービスを行っている数少ないメーカの一つであり、現在はOC-768等の高速光ファイバ通信向けICが主な用途となっています。