Intelligent Epitaxy Technology, Inc.
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出展品目
- MBE(分子線エピタキシー)法による、高品質InP/GaAsエピウエハ
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Exhibits
- High Quality InP and GaAs Epitaxial Wafers by MBE (Molecular Beam Epitaxy)
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展示製品の特徴
MBE法によるInP系、GaAs系の高品質エピタキシャルウエハを、RF/マイクロ波、高速デジタル通信、オプトエレクトロニクス用途向けに御提供致します。
■独自のIn-situモニタリングシステムによる、高い再現性と面内均一性
■一般的な構造のエピウエハは、2〜4週間で納入中
■大/中型のMBE装置を現在7台所有し、量産を完全サポート (月産最大11,700枚/4" 換算)
■InP系では、HBT、HEMT、PIN, APD等、GaAs系ではPHEMT、MHEMT、PIN 等を、多くのお客様に御提供中
■InPウエハは4" まで、GaAsウエハは6" まで対応
■エピ成長後の即時対応を可能にする、充実したウエハ評価設備
■新製品開発にも積極的に対応
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