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Microwave Technology, Inc.
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出展品目
- High Linearity Driver Amp.
- Low Noise Receiver Amp.
- Broad Band Amp.
- Gain Module
- Gunn Diode
- Power PHEMT Devices
- Power PHEMT Chips
- Ultra Linear Amp.
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Exhibits
- High Linearity Driver Amp.
- Low Noise Receiver Amp.
- Broad Band Amp.
- Gain Module
- Gunn Diode
- Power PHEMT Devices
- Power PHEMT Chips
- Ultra Linear Amp.
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展示製品の特徴
■MwT-LP7は、従来のMwT-7とほぼ同じ外観で、新規開発の低フェーズノイズプロセスを使用した「250µm幅 GaAs MESFET」です。フェーズノイズの発生源を最小限に抑えることにより、極めて低いフェーズノイズが達成されます。
■AlGaAs/InGaAs PHEMTデバイスは、mmウェーブ周波数のパワーおよびゲイン用途に理想的なデバイスです。その理由は、InGaAsチャンネルにおける優れた電子移動特性とヘテロ接合材システムH15内での高キャリアー密度によるものです。
■リニアー増幅器 ： 世界の無線基地局システムの超リニアートランスミッタ出力要求に対応するために、ULA-808-82とULA-818-82モジュール増幅器が設計されています。
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