• 超ローノイズ／高利得、ヘテロ接合FET (PHEMT)
• 高効率へテロ接合電力FET (PHEMT)
• 低ひずみGaAsパワーFET
• 内部整合電力FET
• PHEMT MMIC Amp

• Super Low Noise High Gain Heterojunction FETs (PHEMT)
• High Efficiency Power FETs
• Low Distortion GaAs Power FETs
• Internally Matched Power FETs
• PHEMT MMIC Amp

■ エクセリクス社は広帯域・超ローノイズ・低ひずみ・ハイパワーのFET及びMMICを開発・製造しており、現在世界の無線基地局で幅広く使用されています。エクセリクス社のデバイスはN.F.、P1dB、IP3が他社に比べより優れているのが特長です。その他「Idss(Idss = Saturated Drain電流)700mA がほしい」と言えば、700mA近くをそろえて出荷してくれます。その為、バラツキを考えて追加の回路を設計する必要がありません。回路を一つ追加すれば、コストが掛かります。

■ MMIC製品 [EMAシリーズ]には、9-16、22-26、26-32GHzの各帯域において、P-1dBが18-28dBm、利得が15-21dBの「低雑音/電力増幅器」や、LO増幅器付 20-32GHz帯「サブハーモニックミクサ」などがあります。