ワークショップ Workshop 01〜03 04〜06 07〜08 09〜12 13〜16 → Back To List ワークショップ 01 11月26日(水) 14:00〜17:00 F201+F202会議室 UWBシステムの現状と展望 Present State and Perspective on Ultra-Wideband System オーガナイザ/座長　　佐々木 重信 (新潟大) 1.UWBシステムの総論 −研究・開発・法制化の動向− 　Overview of UWB Systems - Trends of R&D and Regulation - 　河野 隆二 (横浜国立大) 2.UWBシステムにおける変復調技術の研究開発動向 　Review of Signal Design and Detection for UWB Systems 　眞田 幸俊、佐々木 重信 (慶応義塾大) 3.UWBワイヤレスシステムのための伝搬研究の動向 　Review of Ultra-Wideband Propagation Studies 　小林 岳彦 (東京電機大) 4.UWBシステムの装置化における現状と課題 　Present State and Issue in Apparatus Development for UWB Systems 　松井 敏明、笠松 章史、歌川 仁史、李　可人 (通信総合研究所) Ultra-Wideband(UWB)技術は、数百ピコ秒から数ナノ秒という短いパルス状の信号を用いる無線技術である。最近このUWB技術を利用した近距離の超高速無線データ伝送の可能性等が話題になっており、UWBを用いた近距離無線通信の標準化の動きが活発になっている。しかしUWB技術は数GHzにも及ぶ極めて広い周波数帯域を利用するため、その実用化には、法規制の整備、広帯域をカバーするアンテナやデバイスの実現など数多くのハードルがある。 本セッションでは、通信システム等におけるUWB技術の可能性と標準化の動向を ▲ Page Top   ワークショップ 02 11月26日(水) 14:00〜17:00 F203会議室 メタマテリアルの理論と応用 Theory and Application of Metamaterials オーガナイザ/座長　　粟井 郁雄 (山口大) 1.多層キラルスラブの偏波変換特性 　Polarization Transformation Characteristics of Multilayered Chiral Slab 　田中　充、楠　敦志 (大分大) 2.金属ストリップ人工誘電体の特性 　Microwave Characteristics of Artificial Dielectric Made of Metal Strips 　久保　洋 (山口大) 3.平面型負屈折率媒質の特性と応用 　Characteristics and Applications of Planar Negative Refractive Index Media 　伊藤 龍男、真田 篤志、Christophe Caloz (UCLA) 4.プリント型マイクロ波バンドギャップ構造 　Printed Microwave Bandgap Structure 　川崎 繁男、石田 英之、園田 龍太、大久保 直樹 (東海大) 最近脚光を浴びているメタ物質のマイクロ波応用について、各分野で活発に研究を展開している方々から解説していただく。既存の物質を超えた様々な特異な電磁気的特性を持つ人工媒質はどのようにして構成され、どのような用途に使われるかについて、4 つの異なったコンセプトに従って話が展開される。 ▲ Page Top   ワークショップ 03 11月26日(水) 14:00〜17:00 F204会議室 化合物半導体パワーデバイスの最新動向 Recent Progress in Power Devices of Wide-Bandgap Compound Semiconductor オーガナイザ　　斉藤 淳二 (富士通カンタムデバイス) 　　　　　　　　　座　長　　大野 泰夫 (徳島大) 1.基地局用パワーアンプの技術動向とデバイス要求特性 　Technical trend of power amplifiers for the cellular base stations and required performance for device 　坂本 廣徳 (日本無線) 2.高周波パワーデバイスとワイドバンドギャップ半導体への期待 　High Frequency Power Devices and Expectation for Wide Bandgap Semiconductors 　大野 泰夫、敖　金平 (徳島大) 3.窒化物半導体を用いた高周波高出力デバイス技術 　Nitride Semiconductor RF Power Device Technology 　葛原 正明 (新機能素子研究開発協会) 4.移動体通信基地局向け高出力GaN HEMT技術 　GaN HEMT for High Power Amplifiers of Mobile Telecommunication Base Stations 　常信 和清 (富士通研究所) GaNなどワイドバンドギャップを持つ新しい化合物半導体材料を使用したパワーデバイスが、次世代の移動体通信基地局用高出力デバイスとして注目されている。本セッションでは、システム側からの要求状況を踏まえ、ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの最新技術動向について議論する。