SiGeをベース材料に用いたヘテロ接合ハイボーラトランジスタ(HBT)は優れた高周波特性と低ノイズ特性で、マイクロ波、 光通信、計測機器等に用いられている。このSiGe-HBTを用いたSiGeBiCMOSは、GaAsの基本性能を微細化で追いかけつつ、 集積化の強みを生かしての採用が増加している。
本セミナーでは、日立SiGeBiCMOSファンドリの各種デバイス特性、信頼度、モデル精度および実際の利用方法、開発試作例をご紹介します。

WINは1999年に設立し、2008年には世界最大6インチ・ガリウムヒ素 ウェハーファウンドリとなり、月産規模は14,000枚に達しています。 提供可能な技術は、1μm、2μm HV HBT、0.5μm ED/SW/PA、0.15μm LAN/PA、HFET、BiFET(H2W)、Ka/Ku-band 0.25μm pHEMT及び8V 0.25μm and 0.1μm Power HEMTなどです。経験豊かな技術チーム、優れた生産力、強力な財務支援でお客様に最適なサービスを提供できる最高のパートナーになります。
本セミナーでは業務内容を詳しくご紹介します。