展示製品の特徴

■TTエレクトロニクス傘下のセミラボ社のRF事業部は26年の経験を活かし、高性能のRF POWER MOSFETを提供しています。

■シリコンバーチカルDMOSプロセスを採用し、高出力時の高性能・高信頼性を引き出すためにゴールドメタライゼーションを採用し信頼性の高い製品群を提供しています。

■製品には、周波数1MHz〜1GHzで750mWから350Wまで、動作電圧6V、12V、12.5V、28V、50Vに対応しています。

■特にBreakdown電圧が高くなっているため、Rugged PMR、TETRA、EMCテスト機器に多く採用されています。

■また、最近ではインダストリアル市場へも高い品質のMOSFETを提供しております。

[製品のハイライト]
・DAB T×用：　D1013UK（20W at 1GHz）、D1018UK（100W）、D1030UK（400W）
・PMR基地局：　D1007UK（20W）、D1008UK（40W）、D1020UK（150W）
・広帯域アンプ：　D2001UK（2.5W）、D2003UK（5W）、D2013UK（20W 1GHz）
・表面実装タイプ：　175MHz〜1GHz使用で2.5W、5W、10W、15W、20W