出展品目
- SiC 基板, GaN HEMT, GaN MMIC 及び SiC MESFET
Exhibits
- SiC substrate, GaN HEMT, GaN MMIC and SiC MESFET
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703, U.S.A.
TEL : +1(919)313-5300 FAX : +1(919)313-5558
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国内連絡先
エム・アールエフ(株) [ Booth No. D101 ]
〒101-0024 東京都千代田区神田和泉町1-8-11 サン・センタービル5F
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- TEL
- : (03)5821-3623
- FAX
- : (03)5821-3625
- : sales@mrf.co.jp
- Web
- : http://www.mrf.co.jp
- 担当
- : 開発営業部
展示製品の特徴
■Cree（クリー）はSiC基板では世界最大の供給メーカですが、同時にデバイスであるGaN HEMT、GaN MMIC及びSiC MESFET に関してもワイヤレス基地局、レーダーや防衛市場へ積極的に販売しております。■その他CreeはLED、GaNパワーデバイス、GaNエピ等を供給しておりますが、弊社M-RFはRFデバイスのみを扱います。