展示製品の特徴

■MBE法によるInP系、GaAs系の高品質エピタキシャルウエハを、RF/マイクロ波、高速デジタル通信、オプトエレクトロニクス用途向けに御提供致します。シリコンならびにゲルマニウム基板上の、III-V族エピタキシャルウエハにも、対応しております。

・独自のIn-situモニタリングシステムによる、高い再現性と面内均一性
・一般的な構造のエピウェハは、約4週間で納入中
・大/中型のMBE装置を現在8台所有し、量産を完全サポート （月産最大13,600枚/4"換算）
・InP系ではHBT、HEMT、PIN、APD等、GaAs系ではPHEMT、MHEMT、PIN 等を、多くのお客様に御提供中
・InPウエハは4"まで、GaAsウエハは6"まで対応
・エピ成長後の即時対応を可能にする、充実したウエハ評価設備
・新製品開発にも積極的に対応