展示製品の特徴

【SMT薄膜ハイパワーチップ終端器 (ALN基板)】
窒化アルミ基板を使用した小型高電力の薄膜チップ終端器。
優れた高周波特性。良好な放熱性能により高電力、高パルス負荷耐性を実現。

【マイクロ波サーミスタHFTシリーズ】
周波数上昇に伴う抵抗値の減少がなく、DC〜10GHz超の範囲で使用可能。
コの字電極（錫メッキ）で自動実装容易。衝撃に強い構造。

【超小型薄膜チップ減衰器】
優れた周波数特性と表面実装タイプにより設計工数と実装コストの削減が可能。

【温度可変減衰器】
高周波増幅回路の温度による利得変化をワンチップで調整可能。

【薄膜チップ終端抵抗器】
グランド端子をサーマルビアで冷却することにより高電力化が可能な周波特性に優れる。
高いサージ電力でも使用可能。

【薄膜サーモパイル電力測定素子】
高周波信号を熱に変換し、薄膜熱電対により電圧に変換して出力する素子。
信号を熱に変えることで真の実効電力測定可能。

【電圧可変減衰器】
薄膜基板回路上にピンダイオードを配置することにより5GHzまでの周波数で減衰量を可変。
3W入力が可能な高電力品あり。

【薄膜位相器 (参考出品)】
バイアス電圧を変えることにより位相の可変が可能な素子。
位相可変に薄膜誘電体を使用し高感度で高周波特性に優れる。

【低インダクタンス電流検出用抵抗器】
インダクタンスが小さく信号に影響しない。
信号レベルの測定をダイオードに変えて使用する事が可能で高速なスイッチング電源にも最適。