出展企業

Booth No. D501

三菱電機(株)
Mitsubishi Electric Corp.

〒100-8310 東京都千代田区丸の内2-7-3
TEL
: (03)3218-2916
FAX
: (03)3218-2321
Mail
QA.crd@rf.MitsubishiElectric.co.jp
Web
http://www.MitsubishiElectric.co.jp/
担当
: 開発本部 開発業務部 業務グループ

共同出展

出展品目

  • 低損失樹脂ミリ波帯アレーアンテナ
  • 大電力パルスクライストロン
  • 衛星搭載用C帯GaN HEMT高出力増幅器
  • W-CDMA方式3バンド対応携帯電話端末用GaAs HBT増幅器

Exhibits

  • Millimeter-Wave Waveguide-Type Array Antennas Using Low-Loss Engineering Plastics
  • High Power Pulse Klystrons
  • Gallium Nitride High-Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) for 4.0 GHz Band Satellite Applications
  • Triple Band Power Amplifier Module for WCDMA Applications

展示製品の特徴

■低損失樹脂を用いた2種類のミリ波帯向けアレーアンテナを開発しました。1つは、シクロオレフィンポリマー(COP)を材料とし、射出成型技術を用いて製造した40GHz帯樹脂導波管ホーンアレーアンテナ、もう1つは、グラフト型オレフィンスチレン樹脂基板にポスト壁導波管(1)を構成した60GHz帯スロットアレーアンテナです。樹脂導波管ホーンアレーアンテナの線路損失は約0.1dB/p@40GHz帯、ポスト壁導波管の線路損失は0.3dB/p@60GHz帯であり、優れた低損失特性を有しています。これらの製造技術を用いることにより、低コストで量産性に優れたミリ波帯アンテナを実現することが可能となります。

■当社のパルスクライストロンは、国内、海外の研究所(KEKなど)、大学、空港で広くご使用いただいており、安定性、信頼性などの面で高く評価されております。動作周波数:S、C、Xバンド、ピークパワー:0.1〜50MWのクライストロンを取り揃えています。
また今回は新たに開発したIOT(Inductive Output Tube)を展示予定です。

■これまで、GaAsで100Wクラスの出力を得るには、最終段に出力25W程度の増幅器を並列合成していました。今回開発したGaN HEMT高出力増幅器MGFC50G3742Sは、外形寸法が25W出力のGaAs増幅器と同じであるにもかかわらず、出力100Wの最終段を1つで構成でき、電力付加効率も60%と高効率です。今回、回路の中段や初段にも使用できる出力40W、20W、2WのGaN HEMT増幅器もあわせて開発しており、通信衛星搭載用送信機の小型・軽量化と省電力化に貢献します。

■送信回路には通常、それぞれの周波数帯ごとに電力増幅器を設けますが、当社はこれまでW-CDMA方式用に800MHz帯と2GHz帯の2つの周波数帯を1つで対応可能な電力増幅器と、1.7GHz帯対応の電力増幅器を販売し、携帯電話端末の小型化に貢献してきました。今回、W-CDMA方式の3つの周波数帯に1つで対応でき、かつ従来の2周波数帯対応電力増幅器と同一のパッケージに収めました。これにより、従来の1.7GHz帯電力増幅器1個分(3mm×3mm)の部品設置面積が削減でき、携帯電話端末の構成簡略化とさらなる小型化が可能となります。