C104
横浜電子精工(株)
Yokohama Denshi Seiko Co., Ltd.
出展品目
- SMT薄膜ハイパワーチップ終端器 (ALN基板)
- マイクロ波サーミスタHFTシリーズ
- 薄膜チップ減衰器
- 温度可変減衰器
- 薄膜チップ終端抵抗器
- 薄膜サーモパイル電力測定素子
- 電圧可変減衰器
- 薄膜位相器 (参考出品)
- 低インダクタンス電流検出用抵抗器
Exhibits
- SMT Thin Film Power Chip Terminator
(ALN Substrate)
- Microwave Thermistor HFT Series
- Chip Attenuator
- Thermo Variable Attenuator
- Chip Terminator
- Thermopile Power Sensing Device
- Voltage Variable Attenuator
- Phase Shifter
- Current Sensing Resistor
展示製品の特徴
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SMT薄膜ハイパワーチップ終端器ALN基板
窒化アルミ基板小型高電力薄膜チップ終端器
優れた高周波特性
良好な放熱性能で高電力高パルス負荷耐性を実現
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MWサーミスタHFTシリーズ
周波数上昇で抵抗値の減少がなくDC〜10GHz超で使用可能
コの字電極(錫メッキ)で自動実装容易
衝撃に強い
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超小型薄膜チップ減衰器
優れた周波数特性と表面実装タイプで設計工数と実装コスト削減可能
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温度可変減衰器
高周波増幅回路の温度による利得変化をワンチップで調整可能
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薄膜チップ終端抵抗器
グランド端子をサーマルビアで冷却し高電力化が可能な周波特性に優れる
高いサージ電力でも使用可能
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薄膜サーモパイル電力測定素子
高周波信号を熱に変換し、薄膜熱電対により電圧に変換して出力する素子
信号を熱に変え真の実効電力測定可能
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電圧可変減衰器
薄膜基板回路上にピンダイオードを配置し5GHzまでの周波数で減衰量を可変
3W入力が可能な高電力品あり
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低インダクタンス電流検出用抵抗器
インダクタンスが小さく信号に影響しない
信号レベルの測定をダイオードに変えて使用可能で高速なスイッチング電源に最適