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- 担当
- : 電子機器部
| 出展品目 |
Exhibits
- Exhibits Gallium Nitride (GaN) HEMT
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展示製品の特徴
■米国クリー社は、ガリウムナイトライド (GaN) HEMT、シリコンカーバイド(SiC)のウエファー及びHEMT、 MESFET製品のパイオニア的存在であり、業界のリーディングカンパニーです。
■ワイドバンドギャップ素子は、シリコンおよびガリウム砒素より優れた熱特性により、高周波部品への応用に注目を集めております。その特性を生かした『GaN HEMT』『SiC MESFET』は、広帯域、高出力増幅器のキーパーツであり、高速移動体通信として注目されている「WiMAX」等の用途に最適です。
■当社はクリー社の製造する『SiC MESFET』と『GaN HEMT』を取り扱っております。
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