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出展品目
- MBE(分子線エピタキシー)法による
高品質InP/GaAsエピウェハ
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Exhibits
- High Quality InP and GaAs Epitaxial Wafers by MBE (Molecular Beam Epitaxy)
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展示製品の特徴
■MBE法によるInP系、GaAs系の高品質エピタキシャルウエハを、RF/マイクロ波、高速光通信、オプトエレクトロニクス用途向けに御提供致します。
・独自のIn-situモニタリングシステムによる、高い再現性と面内均一性
・一般的な構造のエピウェハは、2〜4週間で納入中
・大/中型のMBE装置を現在8台所有し、量産を完全サポート
・InP系ではHBT、HEMT、PIN、APD等、GaAs系ではPHEMT、MHEMT、PIN 等を、多くのお客様に御提供中
・InPウエハは4"まで、GaAsウエハは6"まで対応
・エピ成長後の即時対応を可能にする、充実したウエハ評価設備
・新製品開発にも積極的に対応
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