MWE 2008 マイクロウェーブ展 2008 事務局 (株)リアルコミュニケーションズ 〒270-0034 松戸市新松戸1-409 新松戸Sビル3F TEL : 047-309-3616 FAX : 047-309-3617 E-mail : mweapmc@io.ocn.ne.jp

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出展企業

横浜電子精工(株)
 Yokohama Denshi Seiko Co., Ltd.

〒222-0033 神奈川県横浜市港北区新横浜2-14-26
TEL
:  045-470-4711
FAX
:  045-470-4712
Mail
:  info@yds.co.jp
Web
:  http://www.yds.co.jp
担当
:  営業部
出展品目
  • 薄膜チップ減衰器
  • 温度可変減衰器
  • 薄膜チップ終端抵抗器
  • 薄膜サーモパイル電力測定素子
  • 電圧可変減衰器
  • 薄膜位相器 (参考出品)
  • 低インダクタンス電流検出用抵抗器
 Exhibits
  • Chip Attenuator
  • Thermo Variable Attenuator
  • Terminator
  • Thermopile Power Sensing Device
  • Voltage Variable Attenuator
  • Phase Shifter
  • Current Sensing Resistor
展示製品の特徴
    【超小型薄膜チップ減衰器】
    薄膜で構成された小型減衰器。
    優れた周波数特性と表面実装タイプにより設計工数と実装コストの削減が可能です。

    【温度可変減衰器】
    高周波増幅回路の温度による利得変化をワンチップで調整可能にする感温型アッテネータです。

    【薄膜チップ終端抵抗器】
    グランド端子をサーマルビアで冷却することにより高電力化が可能な周波特性に優れでいます。
    高いサージ電力でも使用可能です。

    【薄膜サーモパイル電力測定素子】
    高周波信号を熱に変換し、薄膜熱電対により電圧に変換して出力する素子。
    信号を熱に変えることで真の実効電力測定が可能です。

    【電圧可変減衰器】
    薄膜基板回路上にピンダイオードを配置することにより５GHｚまでの周波数で減衰量を可変。
    3W入力が可能な高電力品もあります。

    【薄膜位相器 [参考出品]】
    バイアス電圧を変えることにより位相の可変が可能な素子。
    位相可変に薄膜誘電体を使用し高感度で高周波特性に優れています。

    【低インダクタンス電流検出用抵抗器】
    インダクタンスが小さく信号に影響しない電流検出低抵抗。
    信号レベルの測定をダイオードに変えて使用する事が可能で高速なスイッチング電源にも最適です。



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