• ULTRA Hi-K単板 セラミックコンデンサ－
• マイクロ波単板 セラミックコンデンサ－
• 低損失マイクロ波用 ストリップ路線アルミナ基板
• 広帯域・高電流バイアス-T
• GaAsFET 保護回路付電源基板
• 誘電体発振器
• PLL発振器
• 準ミリ波帯センサ

• Single Layer Capacitors
• Hi-K Material SLC
• Patterned Alumina Substrates
• Bias-T
• GaAsFET Protection DC Power Board
• DRO PLO Sub Millimeter-Wave Sensor

●日本初！小サイズ・高容量に対応した高誘電体材料を使用した
　　[ウルトラHi-K SKシリーズ (単板チップキャパシタ)]
より小さなサイズで高容量を確保し、0.38mm角で390pFまで対応、また単板では成し得なかった1nF～8.2nF供給可能です。温度特性は±15%(-55℃～125℃)となり安定した特性が得られます。0.1pFから1500pFまでの広範囲の容量をご用意したスタンダード品、68pF～8.2nFまでの用途でSKシリーズを展示いたします。

●低損失のアルミナ基板を使用しマイクロストリップ基板の量産化体制を整え、PowerFETの内部整合基板をはじめ、ハイブリッドIC、MIC、モジュール等に広く使用されています。また、スルーホール加工も可能です。

●バイアスT
0.8GHz～18GHz20A および10Aの広帯域・高電流タイプ、低価格の0.001～3GHz5Aタイプ、0.1～10GHz0.5Aタイプも扱っております。

●Power GaAs FET保護用の電源基板
各種有り、カスタム仕様にも対応致します。

●マイクロ波帯・準ミリ波帯 (～26.5GHz)
各種AMPカスタム仕様に対応致します。