• SiGe パワーアンプ（DC〜2.5GHz)
• ローノイズアンプ
• ゲインブロック
• PLL (800MHz〜2.5GHz)

• SiGe Power Amplifiers (DC〜2.5GHz)
• Low Noise Amplifier
• Gain Block
• PLL (Phase Locked Loop)

ASB社は、10年以上蓄積された半導体技術をベースに、最高レベルの自社保有特許技術である「70GHz級のシリコンゲルマニウム異種接合バイポーラー・トランジスター(SiGe HBT)」の技術を用いた、種々の10GHzまでの超廉価版のマイクロウェーブ用デバイスを供給しております。

またASB社のSiGe HBT技術は、韓国・アメリカ・日本などで特許権を獲得した"先端高周波技術"(エミッタ面積が1×4μ�o、素子の動作速度は70GHz程度)であり、抵抗・インダクター・キャパシタなどをウェハー上で駆動できるよう、受動素子のライブラリーを用いることにより、最先端高周波フルチップセット(MMIC)、移動体通信用ハンドセット、インフラ用デバイス(Cellular、PCS、IMT-2000、ITS-DSRC、ワイヤレスラン他)を製造しております。