• マイクロ波単板セラミックコンデンサ−
• Hi-K単板セラミックコンデンサ−
• 低損失マイクロ波用 ストリップ路線アルミナ基板
• 広帯域・高電流バイアス-T
• GaAsFET 保護回路付電源基板
• 誘電体発振器
• PLL発振器
• 準ミリ波帯センサ

• Single Layer Capacitors
• Hi-K Material SLC
• Patterned Alumina Substrates
• Wideband & High Current Bias-T
• GaAsFET Protection DC Power Board
• DRO
• PLO
• Quasi Millimeter-Wave Sensor

●小サイズ・高容量に対応した新製品『ウルトラHi-K SKシリーズ(単板チップキャパシタ)』を発表いたします。従来までのサイズから、より小さなサイズで高容量を確保し、0.38mm角で390pFまで対応いたします。また単板ではなしえなかった1nF〜8.2nFもご用意できます。温度特性は±15%(-55℃〜125℃)となり安定した特性が得られます。0.1pFから1500pFまでの広範囲の容量をご用意したスタンダード品、68pF〜8.2nFまでの用途でSKシリーズを展示いたします。

●低損失のアルミナ基板を使用しマイクロストリップ基板の量産化体制を整え、PowerFETの内部整合基板をはじめ、ハイブリッドIC、MIC、モジュール等に広く使用されています。
また、スルーホール加工も可能です。

●バイアスTは、0.8GHz〜18GHz20A 及び10Aの広帯域・高電流タイプ、低価格の0.001〜3GHz5Aタイプ、0.1〜10GHz0.5Aタイプも扱っております。

●Power GaAs FET保護用の電源基板も各種有り、カスタム仕様にも対応致します。

●マイクロ波帯・準ミリ波帯(〜26.5GHz) 各種AMPカスタム仕様に対応致します。