Microwave Workshop & Exhibition:  Nov. 25-27, 2017, Pacifico Yokohama,JAPAN
Facebook MWE 2017 Official Page @MW_tenji マイクロウェーブ展展示委員会

商社取扱企業

WIN Semiconductors Corp.

No 358, Hwaya 2nd Rd., Hwaya Technology Park, Kuei Shan Hsiang, Tao Yuan Shien、TAIWAN, R.O.C. 33383
TEL : + 886(3)3975999   FAX : +886(3)3975069   Web : http://www.winfoundry.com

国内連絡先

ABA Co., Ltd. [ Booth No. F-02 ]
〒170-0005 東京都豊島区南大塚3-50-8
TEL
: (03)5928-8899
FAX
: (03)5928-8900
Mail
Web
http://www.aba-japan.co.jp
担当

出展品目

  • GaAs Wafer
  • GaN Wafer Foundry Service

Exhibits

  • GaAs Wafer
  • GaN Wafer Foundry Service

展示製品の特徴

■1999年10月に設立されたWIN Semiconductors社は、世界で最初のpure-play 6-inch GaAs ファウンドリで、高速かつ高品質のGaAs MMIC(モノリシックマイクロ波IC)とRFIC(無線周波数IC)の需要の高まりを受けて、3つの先端テクノロジーを有するGaAsウェハFabを設立しました。

■わが社は、5MHz〜130GHzのブロードバンド向けアプリケーションに対応したプロセステクノロジーを提供しています。 テクノロジーについては、2µmHBT、0.5µmpHEMT、0.25µmパワーpHEMT、0.25µmE / D pHEMT、0.15µmLNA pHEMT、0.15µm Power pHEMT、0.1µm Power pHEMT、BiHEMTの統合プロセスを含め 、4inchによる0.45µm、0.25µmおよび0.15µm GaN on SiCプロセスをご提供いたします。

■また、上記のプロセスのアプリケーションは、ハンドセット、WiFIアプリケーション、IoT、ベースステーション、ディスクリート低ノイズ/パワーFET、SATOM、VSAT、自動車などのアプリケーションにも適合します。 さらに、次の第5世代アプリケーション向けに適したプロセスですが、0.15µm GaN プロセスと同様、0.15µm GaAs pHEMT procoessも選択肢と対応できるプロセスを開発しました。

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