Microwave Workshop & Exhibition: Nov. 25-27, 2015, Pacifico Yokohama,JAPAN
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取扱企業

Polyfet RF Devices

1110 Avenida, Acaso Camarillo, CA 93012, U.S.A.
TEL : +1(805)484-4210   FAX : +1(805)484-3393   Web : http://www.polyfet.com

国内連絡先

(株)ノア テクノロジー [ Booth No. F02 ]
〒164-0011 東京都中野区中央4-31-16
TEL
: (03)6382-7168
FAX
: (03)6382-7169
Mail
fkato@noah-techno.com
Web
http://www.noah-techno.com
担当
: RF 営業部

出展品目

  • VDMOS Surface Mount & Flanged Mount
  • LDMOS Surface Mount & Flanged Mount
  • GaN Flanged Mount
  • Broadband Module

Exhibits

  • VDMOS Surface Mount & Flanged Mount (Up to 1.0GHz)
  • LDMOS Surface Mount & Flanged Mount (Up to 1.5GHz)
  • GaN Flanged Mount 28 & 48 Volts (Up to 3.0GHz)
  • Broadband Module 1.6-1260MHz

展示製品の特徴

■Polyfet RF Devices は、1987年に USA California に設立されました。
VDMOS, LDMOS, GaN Power Transistor, Power Module を開発、製造しております。

■Transistorsに関しましては、Lead time 2-4週間 + 輸送期間で対応しております。

■採用されておりますマーケットの70% が軍需であるため、長期間、20年を超える安定供給を保証しております。

■数多くの Evaluation Amplifiersを所持しておりまして無償でお貸出ししております。

■また、お客様の仕様に合わせた Evaluation Amplifiers も無償で作成してお貸出しもしております。

【Road Map for Polyfet】
50 VDC LDMOS devices リリースの時期: 4Q、2015
Target Specifications は下記となります。
 ・Up to 1.0GHz
 ・Up to 600W (Narrow Band)
 ・Up to 300W (Broad Band)
 ・MIN 21dB Gain (Narrow Band)
 ・MIN 65% Efficiency (Narrow Band)
 ・Sigle-ended and push pull


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