Microwave Workshop & Exhibition:Dec.10-12,2014 in Pacifico Yokohama,JAPAN
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出展企業

Booth No. G51

三菱電機(株)
Mitsubishi Electric Corp.

〒100-8310 東京都千代田区丸の内2-7-3
TEL
: (03)3218-2160
FAX
: (03)3218-2188
Mail
QA.crd@rf.MitsubishiElectric.co.jp
Web
http://www.MitsubishiElectric.co.jp
担当
: 開発本部 開発業務部 業務グループ

共同出展

出展品目

  • 気象レーダ用C帯GaN増幅器モジュール
  • 基地局用高出力GaN HEMT
  • 衛星通信地上局用Ku帯高出力GaN HEMT
  • Ku帯GaN増幅器モジュール
  • 高感度マイクロ波センサ

Exhibits

  • C-Band GaN Amplifier Module
  • High Power GaN HEMT Amplifier
  • Ku-Band High Power GaN HEMT Amplifier
  • Ku-Band GaN Amplifier Module
  • High-Sensitive Microwave Sensor

展示製品の特徴

【気象レーダ用C帯GaN増幅器モジュール】
周波数割当て見直しによる狭帯域化やメンテナンスフリー化のため、気象レーダ用増幅器では電子管から半導体への置換えが求められています。気象レーダ用C帯GaN増幅器モジュールにおいて、低損失電力合成回路の適用などにより、業界トップクラスの高出力化を実現しました。

【基地局用高出力GaN HEMT】
高出力GaN HEMTの実現と、各出力電力に応じて最適なパッケージ構造を採用することにより、マイクロ/マクロ携帯電話基地局の低消費電力化、小型化に貢献します。

【衛星通信地上局用Ku帯高出力GaN HEMT】
マイクロ波、リニアライザ回路の1チップ集積化技術により、20Wの高出力と20dBの高利得のMMICを実現。幅広いラインアップで衛星通信地上局に用いられる電力増幅器の小型化、低消費電力化、低ひずみ化に貢献します。

【Ku帯GaN増幅器モジュール】
GaN-HEMTの適用により電力密度が向上、各種衛星通信用SSPAの小型化・省電力化を実現します。

【高感度マイクロ波センサ】
巻き線機器などの部分放電により発生する微弱な電波を専用パッチアンテナでキャッチ、高感度で電波の強度に比例した信号に変換して出力します。発電機、回転機、小型モーター、トランスなどの絶縁試験などに広く利用されています。

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