Microwave Workshop & Exhibition:Nov.28-30,2012 in Pacifico Yokohama,JAPAN

取扱企業

M/A-Com Technology Solutions, Inc.

100 Chelmsford St., Lowell, MA 01851, U.S.A.
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Mail
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Web
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担当
: 営業部

出展品目

  • GaNパワートランジスターのラインナップからS&L Bandレーダー及びGeneral Application向けのシリーズ(10W〜250W)
  • Gain Block用のMedium Power Amp及び受信ブロック用のLNA

Exhibits

  • GaN Power Transistors (10-250W) for L&S Band Radar and General Application
  • Medium Power Amp. and LNA for Gain and Rx Block

展示製品の特徴

■MTSのGaNパワートランジスターはGaN on SiCの構造を取りパワー、ゲイン特性、高効率及び広帯域性において、LDMOS、MOSFET、Bipolar Transistorでは実現出来ない特性を提供します。他社と差別化するためVbを200V/min.としています。 L&S Band Radar向けは内部整合型、そして、General Application向けは内部整合無しであり、パワーライナップとしては10W〜250Wの製品があります。

■Gain Block用Ampについては、InGap HBTとMESFETを使用した製品をリリースしており、今回、CGB8001-SC(InGaP HBT)とCMM6004-SC(MESFET)を展示します。

■LNAについては、MAAL-007104/5/6の3製品をリリースしています。3製品とも外部抵抗により電流を調整出来る機能があり、又、Active Bias Circuit及びESD protectionを標準としてオンチップに内蔵しています。E-mode pHEMTプロセスから得られるNF及びOIP3特性は、LTE、WiMax、WCDMAのインフラ向けに最適です。

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