展示製品の特徴

• ナイトロニクス社は、安価で高品質のシリコン基板上にワイドギャップ半導体であるGaN(窒化ガリウム)を高品質に製造することが出来る独自技術(SIGANTIC™)によりコスト競争力のある高性能GaN HFETの開発に成功しました。
   
• GaN HFETはパワー効率が高く、広帯域にわたりハイパワーを出力でき、高周波回路としての整合を取りやすいことが主な特徴になっています。
   
• また、ナイトロニクス社では、シリコン基板をベースとした製造技術により業界初のプラスチックパッケージに封印したGaN HFETを提供させて頂いております。