国内のマイクロ波技術は、いくつかの革新的技術の開発を核に、飛躍的発展を遂げてきました。MWE実行委員会では、日本のマイクロ波技術史に刻むべき技術開発事例を調査・整理し、毎年のマイクロウェーブ展にて「歴史パネル」として展示し、皆様にご紹介しています。「歴史パネル」は、『歴史に残る、すなわち時代を画する新規性、先進性、革新性、有用性のある技術』であるかどうかを選考基準として、関連技術分野の権威・専門家により組織された委員会によって、公平・公正に選定されます。

このページでは、これまでに「歴史パネル」として選定された技術名称等をご紹介させていただきます。版権確認済みの事例につきましては、パネル内容も表示されます。是非、過去の革新的技術開発事例の数々をご覧下さい。さらに、次回の「歴史パネル」選定(2014年の予定)の候補として昨年「マイクロ波技術アーカイブ」に登録された案件をご紹介いたします。「マイクロ波技術アーカイブ」の応募は随時行っております。これはという技術事例をお持ちの方は、別掲の「マイクロ波技術アーカイブ新規パネル公募のお知らせ」をご参照の上、奮ってご応募下さい。

[ パネル カテゴリ ]   半 導 体

ダイオード(D)

年代 分類 名   称 機  関 PDF
1950D7 Siマイクロ波受信用ミキサーダイオード NEC
1964D8 N型GaAsバルク試料にてマイクロ波発振を確認 東芝
1966D9 Geシルバーボンドダイオードによるミリ波連続発振 NTT
1968D1 高出力ガンダイオードの製品化 NEC
1968D2 受信用GaAsショットキバリアダイオードの製品化 NEC
1968D3 高出力Siエピタキシャル拡散型インパッドダイオードの製品化 NEC
1970D10 高性能GaAsプレーナPNバラクタダイオード 東芝
1972D4 30GHz帯GaAsショットキバリアインパッドダイオード 日立
1973D11 80GHz帯Siインパッドダイード NTT
1976D12 200GHz帯Siインパッドダイード NTT
1978D13 サブミリ波周波数逓倍器 NTT
1980D6 サブミリ波Pt/GaAsショットキダイオード検出器/ミキサ 東北大通信研

Siトランジスタ(T)

年代 分類 名   称 機  関 PDF
1964T9 マイクロ波Siトランジスタの製品化 NEC
1968T1 メッシュエミッタ高周波高出力トランジスタ 富士通
1969T2 イオン注入型Si低雑音トランジスタ 東芝
1974T3 マイクロ波ビームリードトランジスタ 富士通
1974T4 SiUHF帯MOS高出力FET 富士通
1976T10 SET (Stepped Electrode Transistor) NTT
1979T5 1GHz100W静電誘導トランジスタ 三菱
1980T11 Si SSTトランジスタ NTT
1983T6 民生用1GHz帯超低雑音トランジスタの製品化 NEC
1983T7 低電圧動作高効率UHF帯SiMOS高出力FET 日立
1988T8 Ku帯発振用Siトランジスタの製品化 NEC

GaAs FET(F)、HEMT(H)および HBT(HB)

年代 分類 名   称 機  関 PDF
1970F8 GaAs FET試作 東芝
1972F1 マイクロ波低雑音GaAsFET 日立
1973F2 世界初の電力GaAsFET 富士通
1975F3 低雑音0.5μmゲートGaAsFET NEC
1977F4 内部整合回路付高出力GaAsFET NEC
1980H1 HEMT最初の発表 富士通
1980F5 ミリ波低雑音GaAsFET 東芝
1981F6 10GHz10WフリップチップGaAsPowerFET 三菱
1982F7 DBS用超低雑音GaAsFETの製品化 NEC
1984F9, HB1 AlGaAs/GaAsHBT NTT
1986H2 超低雑音HEMTの製品化 富士通
1989F10 インテルサットZ衛星搭載用C帯内部整合FET 三菱
1989H3 0.1μmゲートミリ波低雑音HEMT 東芝
1993HB2 外部ベース選択成長AlGaAs/InGaAs HBT NEC
1995H4 ディジタル携帯電話向け電力増幅器用GaAsヘテロ接合FET NEC

MMIC(M)および モジュール(MD)

年代 分類 名   称 機  関 PDF
1969C1, MD1 18GHz帯常温パラメトリック増幅器 日立
1971C2, MD2 20GHz帯IC化バランスドミキサ NTT
1971C3, MD3 20GHz帯帯域反射型高安定ガンダイオード発振器 NTT
1976M12 6GHz帯GaAsFET4段パワーアンプモジュール 富士通
1980C4, MD4 GaAsFET誘電体発振器 三菱
1981M1 準ミリ波帯GaAs低雑音増幅器MMIC NEC
1982M2 世界最高性能SiMMICの製品化 NEC
1984M3 30GHz帯GaAsMMIC高出力増幅器 三菱
1984M4 3.3GHzSiプリスケーラMMICの製品化 NEC
1984M5 X帯5bitMMIC移相器 三菱
1984M6 多機能集積化GaAsMMIC NEC
1985M7 1GHzGaAsPrescalerIC 三菱
1987M8 X帯高耐圧MMICTRスイッチ 三菱
1987C5, MD5 GaAsFETを使用した携帯電話用電力増幅器モジュールの製品化 富士通
1988M9 Ka帯AlGaAs/GaAsHBTモノリシック発振器 NEC
1989M10 14GHz帯GaAsプリスケーラICの製品化 NEC
1989M11 6GHz帯超広帯域SiバイポーラMMIC NEC
1991M13 アンチパラレルダイオードペアを用いた40GHz帯モノリシック偶高調波ミクサ 三菱
1991M14 アナログ携帯電話用MMIC HPA 三菱
1992M16 1.9GHz帯MMIC電力増幅器 東芝
1992MD6 40GHz帯アンテナ一体化MMIC受信コンバータ 三菱
1992M15 衛星搭載用38GHz帯電力増幅MMIC 富士通
1992M23 低損失、高耐電力W帯バランス形MMICダイオードミクサ 三菱
1992-94M17 3次元MMIC技術 NTT
1994M20 携帯電話用低電圧動作MMIC高出力増幅器 三菱
1994MD7 携帯電話用SAWフィルタ内蔵受信MCM 三菱
1994M22 GSM用HBT MMICパワーアンプ シャープ
1994M21 携帯電話用直交変調器内蔵アップコンバータ Si-MMIC NEC
1994M18 60GHz帯ワンチップMMIC受信回路 ミリウェーブ/富士通
1995M19 大規模GaAs MMIC可変ビーム形成回路網 NTT

注) 版権が確認され次第、詳細内容が閲覧可能なPDFへリンクを貼っていく予定です。
     掲載に問題がある場合には、お手数ですが、MWE事務局へご連絡下さい。

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